中新網(wǎng)1月6日電 據(jù)臺灣《工商時報》報道，DRAM龍頭三星電子傳出大砍今年芯片資本支出逾半消息，總投資金額將不超過3兆韓元。三星終于愿意跟進(jìn)縮減產(chǎn)能，業(yè)界預(yù)估DRAM與NAND復(fù)蘇之日不遠(yuǎn)，其中DRAM可望在今年3至4月觸底反彈，而NAND也有機(jī)會在2至3月間回春。

　　　據(jù)報道，三星正考慮將2009年在半導(dǎo)體方面的投資金額減半。三星2008年在半導(dǎo)體的投資金額約6.2兆韓元，至于今年可能降為3兆韓元，縮減幅度逾50%，業(yè)者表示，在產(chǎn)能過剩、庫存量高、需求銳減，以及內(nèi)存報價持續(xù)走低等壓力下，幾乎所有內(nèi)存公司均在去年第四季由盈轉(zhuǎn)虧，即使是龍頭三星恐怕也難幸免，逼得三星跟進(jìn)縮減今年資本支出。

　　　三星過去以市占率為優(yōu)先，一直不愿意減產(chǎn)，尤其希望這波不景氣中，能逼迫1至2家臺系DRAM廠退出。只是DRAM報價跌過頭，臺灣政府將對臺灣DRAM廠進(jìn)行紓困，對三星有嚇阻作用，在種種因素加總下，三星終于得向景氣低頭，此舉將加快市場觸底反彈的腳步。

　　　業(yè)界分析，近來內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的減產(chǎn)的確讓市場上的供給量大幅減少，以DRAM來說，目前減產(chǎn)幅度約在20%至30%，NAND的減產(chǎn)則在30%至35%，在需求維持穩(wěn)定下，市場庫存水位已明顯下降。