中新網(wǎng)9月3日電 日前，全球移動(dòng)存儲(chǔ)領(lǐng)導(dǎo)廠商朗科公司發(fā)布的一款新品閃存盤U217引起了人們的廣泛關(guān)注。它的連續(xù)讀寫速度達(dá)到了32MB/sec、21MB/sec，隨機(jī)讀寫速度達(dá)到了32MB/sec、12MB/sec，后者更是全球著名品牌同類產(chǎn)品的4倍左右。

　　據(jù)悉，2008年閃存盤產(chǎn)品平均讀寫速度在10MB/sec左右(說明：一般讀為12~18,寫5~8)，而這一速度通常指的是連續(xù)讀寫大小達(dá)100MB以上的單一文件的速度，如果將幾十上百個(gè)文件存放在一個(gè)文件夾中，然后拷貝這一文件夾，其拷貝速度將急劇下降4～5倍，只有1~3MB/sec左右——這就是隨機(jī)寫速度。

　　“朗科U217的最大設(shè)計(jì)容量為128GB，這對閃存盤來說是一個(gè)全新的時(shí)代，這個(gè)時(shí)代對讀寫速度的要求與以往截然不同�！庇袠I(yè)內(nèi)分析人士表示，它不僅要求閃存盤的連續(xù)讀寫速度要足夠快，還要求其隨機(jī)讀寫速度也能跟上“擴(kuò)容”的步伐。

　　朗科U217通過獨(dú)特的技術(shù)手段，成功地將閃存盤隨機(jī)寫速度提高到12 MB/sec，是全球第一款成功跨越百GB容量速度門檻的閃存盤。

　　據(jù)悉，朗科三大閃存技術(shù)主要通過“閃存芯片的控制加速、雙通道倍速和nSpeed提速技術(shù)”三種方法來實(shí)現(xiàn)速度的顯著提升。其中，新的閃存控制技術(shù)可以讓閃存盤讀寫速度提高30～40%。而雙通道技術(shù)則直接將閃存盤的讀寫技術(shù)提高到兩倍。

　　尤其值得一提的是nSpeed技術(shù)。據(jù)朗科技術(shù)人員介紹，當(dāng)前的操作系統(tǒng)都是針對傳統(tǒng)硬盤設(shè)計(jì)的，包含很多優(yōu)化傳統(tǒng)機(jī)械硬盤的機(jī)制。而這些優(yōu)化機(jī)制對閃存盤是無效甚至有害，從而使閃存盤不能100%地發(fā)揮出應(yīng)有的性能。

　　“朗科nSpeed加速技術(shù)正是為優(yōu)化閃存盤性能而誕生，它在目前的操作系統(tǒng)下，使閃存盤成功突破主機(jī)端的限制，將閃存的讀寫速度垂直飆升�！崩士葡嚓P(guān)技術(shù)人員表示。

　　IT產(chǎn)業(yè)總是以一款新產(chǎn)品來標(biāo)志一個(gè)時(shí)代的開始，比如P4、winXP，液晶顯示器、甚至光電鼠、無線鼠標(biāo)……，有行業(yè)人士表示；“就具備實(shí)用價(jià)值的百GB容量的閃存盤來說，朗科U217似乎也扮演了類似的角色”。